[发明专利]深沟渠的制备方法及其蚀刻混合液无效
| 申请号： | 200410084924.0 | 申请日： | 2004-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN1758420A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 郑孟芬;柏雅玲;王廷熏 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C23F1/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的深沟渠的制备方法首先利用干蚀刻技术在硅基板的中形成沟渠，接着涂布蚀刻混合液于该硅基板表面及该沟渠的中。然后除去在该沟渠预定深度以上的蚀刻混合液，并利用保留在该沟渠中的蚀刻混合液进行蚀刻工艺，以蚀刻该预定深度以下的硅基板而形成深沟渠。该蚀刻混合液包含输送溶液及蚀刻剂，且该输送溶液的粘度大于该蚀刻剂的粘度。该输送溶液可为旋涂式玻璃或光刻胶，而该蚀刻剂可为氢氧化四甲铵、氨水或氢氟酸，其中该输送溶液与该蚀刻剂的体积比例系介于50∶1至20∶1之间。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 制备 方法 及其 蚀刻 混合液 | ||
【主权项】：
1.一种深沟渠的制备方法，包含下列步骤：提供基板；形成沟渠于该基板的中；涂布蚀刻混合液于该基板表面及该沟渠的中；除去在该沟渠预定深度以上的蚀刻混合液；进行蚀刻工艺，利用在该沟渠中的蚀刻混合液蚀刻该预定深度以下的基板而形成深沟渠；以及除去在该深沟渠中的蚀刻混合液。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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