[发明专利]一种具有栅电介质的场效应器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410085012.5 | 申请日： | 2004-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1610128A | 公开（公告）日： | 2005-04-27 |
| 发明（设计）人： | 艾弗格尼·果瑟夫;阿莱桑多·瑟萨利·卡勒加利;戴安尼·L·蕾斯;黛博拉·安·纽梅尔;尚慧玲 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 对于高性能半导体场效应器件，本发明提供一种结构和制造方法。该器件具有包括一种锗酸盐材料的栅电介质。在具有代表性的实施方案中，该栅电介质基本上是一层锗酸盐材料。这种材料的化学组成是MezGexOy，其中Me表示具有高离子极化率的一种金属，而x，y，和z非零整数。从介电常数，势垒高度，载流子迁移率，热稳定性和界面稳定性等观点来看，这样一种栅电介质是有利的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电介质 场效应 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有栅电介质的场效应器件，其中栅电介质包括锗酸盐材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410085012.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
