[发明专利]蚀刻制造方法以及图案化制造方法有效
| 申请号： | 200410085084.X | 申请日： | 2004-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN1761035A | 公开（公告）日： | 2006-04-19 |
| 发明（设计）人： | 周珮玉 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种蚀刻制造方法，其首先提供一材料层，且材料层上已形成有一底部抗反射层以及一图案化光致抗蚀剂层。接着，以图案化光致抗蚀剂层为蚀刻掩模，蚀刻底部抗反射层。然后，进行一清洁步骤，以清除附着在图案化光致抗蚀剂层表面上的聚合物。之后，以图案化光致抗蚀剂层为蚀刻掩模，蚀刻材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 制造 方法 以及 图案 | ||
【主权项】：
1、一种蚀刻制造方法，包括：提供一材料层，且该材料层上已形成有一底部抗反射层以及一图案化光致抗蚀剂层；以该图案化光致抗蚀剂层为蚀刻掩模，蚀刻该底部抗反射层；进行一清洁步骤，以清除附着在该图案化光致抗蚀剂层表面上的聚合物；以及以该图案化光致抗蚀剂层为蚀刻掩模，蚀刻该材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
