[发明专利]半导体激光器及其制造方法有效
| 申请号： | 200410085120.2 | 申请日： | 2004-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1601833A | 公开（公告）日： | 2005-03-30 |
| 发明（设计）人： | 渡辺昌规;松本晃广;竹冈忠士;国政文枝 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/16 | 分类号： | H01S5/16;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体激光器，包括按照该顺序形成在半导体基底上的一下包层，一具有至少一个量子阱层的有源层，以及一上包层，所述半导体激光器具有一窗口区域，该区域包括一所述有源层中量子阱层和与有源层相邻的层在垂直于半导体基底表面的发光端面附近被混合的部分，其中下包层具有一比上包层高的折射率，并且窗口区域中的光强分布在垂直于半导体基底表面的方向上要比在增益区域中的光强分布扩展得更宽，同时还提供了制造该半导体激光器的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体激光器，包括按照顺序形成于半导体基底上的一下包层，一具有至少一个量子阱层的有源层，以及一上包层，所述半导体激光器具有一窗口区域，该窗口区域包括在所述有源层中的量子阱层和与所述有源层相邻的层在垂直于所述半导体基底的表面的发光端面附近被混晶化的部分，其中所述下包层具有比所述上包层高的折射率，并且所述窗口区域中的光强分布在垂直于所述半导体基底表面的方向上比在增益区域中的光强分布扩展得更宽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410085120.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：阻燃剂组合物
- 下一篇：用于检测引入保密域的非法内容的装置和方法
