[发明专利]磁存储器件和磁存储器件的制造方法无效
| 申请号： | 200410085191.2 | 申请日： | 2004-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1604229A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 上岛聪史 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供能高效地利用由流过导线的电流所形成的磁场以稳定地进行信息的写入、同时能更简便地制造的磁存储器件及其制造方法。由于包含在基体31上形成一对层叠体S20a、S20b的层叠体形成工序、以至少覆盖一对层叠体S20a、S20b的方式形成下部磁轭4B的下部磁轭形成工序以及在下部磁轭4B上经作为第1绝缘膜的绝缘膜7A以在第1层内L1互相邻接地排列的方式同时形成一对第1部分6F和写入位线5a、5b的写入线形成工序，故可使制造工序进一步简化。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器件，其特征在于：具备：第1写入线；以与该第1写入线交叉的方式延伸的第2写入线；以及磁阻效应元件，上述磁阻效应元件在上述第1和第2写入线交叉的区域中具有以包围上述第1和第2写入线的方式沿周围方向配置的磁轭和包含磁化方向随外部磁场而变化的感磁层并与上述磁轭以磁的方式连结了的层叠体，上述第1和第2写入线在被上述磁轭包围的区域中被排列成在第1层内互相邻接。
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