[发明专利]高亮度发光二极管元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410085248.9 | 申请日： | 2004-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1758451A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗良;张智松;江志立;陈泽澎 | 申请（专利权）人： | 国联光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明技术提供一种高亮度发光二极管元件及其制造方法，特别是一种具有一高透光率导电层与一排列状透明传导层组合的高亮度发光二极管元件；利用本发明技术的高亮度发光二极管元件的制造方法可解决现有的发光二极管元件透光性低造成发光效率差的问题，进而得到最佳的透光性及欧姆特性的发光二极管元件，达到提高发光二极管元件亮度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 亮度 发光二极管 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高亮度发光二极管元件，该高亮度的发光二极管元件包括：一基板，该基板位于该发光二极管元件的底端；一半导体层，该半导体层接于该基板上部，具有一N型半导体层、发光区及一P型半导体层，其中，该发光区介于该N型半导体层与该P型半导体层之间；以及一排列状传导层，该排列状传导层位于该P型半导体层上端；以及一高透光率导电层，该高透光率导电层覆盖于该排列状传导层上部可提高该发光二极管元件的亮度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国联光电科技股份有限公司，未经国联光电科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410085248.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：钮扣碱性电池及其制造方法
- 下一篇：雪茄烟原料处理工艺
