[发明专利]高发光效率的发光元件有效
| 申请号： | 200410085262.9 | 申请日： | 2004-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1758453A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 欧震;林鼎洋;赖世国 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种高发光效率的发光元件，其中存在一基板；形成于该基板上的一第一氮化物半导体叠层；形成于该第一氮化物半导体叠层上的一氮化物发光层；形成于该氮化物发光层上的一第二氮化物半导体叠层，其中，该第二氮化物半导体叠层相对于该氮化物发光层的表面处，具有多个向下延伸的内六角锥形孔穴构造；形成于该第二氮化物半导体叠层上的一氧化物透明导电层，该氧化物透明导电层与该第二氮化物半导体叠层表面的内六角锥形孔穴的内侧表面形成低电阻欧姆接触，以降低发光元件的操作电压，提高发光元件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 效率 元件 | ||
【主权项】：
1、一种高发光效率的发光元件，至少包括：一基板；形成于该基板上的一第一氮化物半导体叠层；形成于该第一氮化物半导体叠层上的一氮化物发光层；形成于该氮化物发光层上的一第二氮化物半导体叠层，其中，该第二氮化物半导体叠层相对于该氮化物发光层的表面处，具有多个向下延伸的内六角锥形孔穴构造；以及形成于该第二氮化物半导体叠层上的一氧化物透明导电层，该氧化物透明导电层延伸并填入该第二氮化物半导体叠层表面的多个向下延伸之内六角锥形孔穴内，且与该内六角锥形孔穴内侧表面大致上形成欧姆接触。
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