[发明专利]一种在原位形成纳米结构的方法和装置无效
| 申请号： | 200410085280.7 | 申请日： | 2004-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN1762789A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 李毅;吴希俊;徐涛;吴大雄;胡军岩 | 申请（专利权）人： | 香港理工大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;王艳江 |
| 地址： | 香港九*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 一种在原位形成纳米结构的装置，包括：一隔离室(1)，其内部充有气体；一加热器(11)，设置在该隔离室的下部；待蒸发的物质(9)，设置在加热器之上；一基材(4)，设置在该隔离室上部、距该待蒸发物质和加热器一定距离的位置处；和一冷却室(2)，紧贴该基材设置在该基材的上方，用于对该基材进行冷却；其中当该加热器将该待蒸发的物质加热到沸点时，该待蒸发物质转变为气态，在该隔离室内部气体的承载下，向上运动，在接触到温度较低的该基材表面时，冷凝形成固态并沉淀于基材的表面，从而在基材的表面形成纳米结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原位 形成 纳米 结构 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种用于原位形成纳米结构的装置，其特征在于，包括：一隔离室(1)，其内部充有气体；一加热器(11)，设置在该隔离室(1)的下部；待蒸发的物质(9)，设置在加热器(11)之上；一基材(4)，设置在该隔离室(1)上部、距该待蒸发物质和加热器(11)一预定距离的位置处；和一冷却室(2)，紧贴该基材(4)设置在该基材的上方，用于对该基材进行冷却；其中当该加热器将该待蒸发的物质加热到沸点时，该待蒸发物质转变为气态，在该隔离室内部气体的承载下，向上运动，在接触到温度较低的该基材表面时，冷凝形成固态并沉淀于基材的表面，从而在基材的表面形成纳米结构。
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