[发明专利]一种半导体激光器老化方法无效
申请号: | 200410085345.8 | 申请日: | 2004-09-28 |
公开(公告)号: | CN1619899A | 公开(公告)日: | 2005-05-25 |
发明(设计)人: | 何德毅;唐宽平;马军 | 申请(专利权)人: | 惠州市中科光电有限公司 |
主分类号: | H01S5/00 | 分类号: | H01S5/00;H01L21/66;G01R31/26 |
代理公司: | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人: | 罗晓林 |
地址: | 516023广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种多路半导体激光器老化方法,将半导体激光二极管LD逐只装在多路LD测试及老化夹具上,该夹具与配备有电源及与中央分析、控制计算机联接的多路恒功率控制电路联接;计算机首先测试与夹具上某只LD匹配的恒功率电阻,再将多路恒功率控制电路中与该只LD匹配的功率控制电路单元与其联通,使该只LD在与实际工况相同或相近似的环境下进行老化,然后再对余下的待测LD逐个完成前述步骤。本发明利用的设备多为对现有设备的改造,使设备的电路更加简单、可靠性增加且操作方便,只需接上电源即可以进行老化;老化效率高,老化结果更准确、更实用;免调试且又恒功率工作,使得LD不会受到损害。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体激光器 老化 方法 | ||
【主权项】:
1、一种半导体激光器老化方法,其特征是在老化电路中,采用一组或相互并联的恒功率老化电路的组合,每一组恒功率老化电路由相互并联的恒功率老化电路的单元电路组成,每个恒功率单元电路中与半导体激光二极管LD功率相对映的恒功率电阻阻值在整个老化电路中具有唯一性。
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