[发明专利]光掩模及其制造方法和使用光掩模的半导体装置制造方法

摘要

一种光掩模，具有对于进行复制的主体图形(5)曝光光线的相位成同相并减弱曝光光线的外围区域部分(4)和使曝光光线透过主体图形(5)的边缘部分并使之与主体图形透过光反相的边缘图形(6)。使用本光掩模，具有可适应65nm节点的实用分辨率，可以提供无缺陷并可检查缺陷的光掩模和半导体装置的制造方法。

主权项

1.一种半色调相移型光掩模，其外围区域部分减弱曝光光线，图形部分透过曝光光线，其特征在于：透过外围区域部分和图形部分的曝光光线的相位为大致相同的相位，且在所述图形部分的外侧，设置与所述图形部分相连的透过曝光光线的边缘部分，透过所述边缘部分的曝光光线与透过所述外围区域部分和所述图形部分的曝光光线大致反相。