[发明专利]半导体集成电路无效
申请号: | 200410085597.0 | 申请日: | 2004-10-15 |
公开(公告)号: | CN1617338A | 公开(公告)日: | 2005-05-18 |
发明(设计)人: | 福井健一;平木充;奥津光彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社瑞萨科技;日立工程株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 刘炳胜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 鉴于在不增加安装到半导体集成电路上的电压产生电路中芯片占据面积的情况下而控制输入电源时的过冲,内部电压产生电路包括利用从外部输送的第一电压产生第二电压的电压产生电路和用于产生对应于第二电压的第三电压的输出缓冲器。第三电压用做内部电路的工作电源。而且,还提供用于使第二电压的输出节点导通到预定电位的第一开关和用于响应第一电压的输入而接通第一开关一预定时间周期的控制电路。输出缓冲器的输出端不被箝位,而是在前级的电压产生电路的输出被箝位到预定电压。与输出缓冲器的输出晶体管相比,用于箝位电压的第一开关的晶体管显著减小了尺寸。相应地,没有扩大芯片占据面积。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】:
1、一种半导体集成电路,包括:内部电压产生电路;和通过从所述内部电压产生电路接收工作电源电压的供给而操作的内部电路,其中所述内部电压产生电路包括利用从所述半导体集成电路外部供给的第一电压产生第二电压的电压产生电路和用于产生与所述第二电压对应的第三电压的输出缓冲器,其中所述第三电压作为所述内部电路的工作电源电压而输送,和其中所述半导体集成电路还包括用于使所述第二电压的输出节点导通到预定电位的第一开关,并且还提供用于响应所述第一电压的输入而接通所述第一开关一预定时间周期的控制电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的