[发明专利]负电荷泵无效
| 申请号： | 200410085609.X | 申请日： | 2004-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1627615A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 柯蒂斯·B·小罗宾逊 | 申请（专利权）人： | 美国芯源系统股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07 |
| 代理公司： | 上海隆天新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体衬底上形成的负电荷泵，它包括：电功率源，具有连接到所述衬底的第一端和连接到高电压端的第二端；连接在所述的高电压端与所述的衬底之间的输出电容器；连接在所述的高电压端与所述的衬底之间的多个充电电容器，连接到所述高电压端的所述充电电容器用第一组晶体管开关，连接到所述衬底的所述充电电容器用第二组晶体管开关；其中，所述第二组晶体管开关是NMOS晶体管，所述第一组晶体管开关是PMOS晶体管开关。在一种用途中，负电荷泵用于驱动白色LED。负电荷泵主要用n－沟道晶体管开关，占据较小的集成电路面积。而且，在启动电荷泵中用软启动机构。 | ||
| 搜索关键词： | 负电荷 | ||
【主权项】：
1.半导体衬底上形成的负电荷泵，包括：电功率源，具有连接到所述衬底的第一端和连接到高电压端的第二端；连接在所述的高电压端与所述的衬底之间的输出电容器；连接在所述的高电压端与所述的衬底之间的多个充电电容器，连接到所述高电压端的所述充电电容器用第一组晶体管开关，连接到所述衬底的所述充电电容器用第二组晶体管开关；其特征是，所述第二组晶体管开关是NMOS晶体管，所述第一组晶体管开关是PMOS晶体管开关。
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