[发明专利]磁阻效应元件、磁存储单元及磁存储器无效
| 申请号： | 200410085615.5 | 申请日： | 2004-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN1606094A | 公开（公告）日： | 2005-04-13 |
| 发明（设计）人： | 羽立等;上岛聪史 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种能够高效率地利用因导线上流动的电流而形成的磁场、使信息写入稳定进行的磁阻效应元件以及设有该元件的磁存储器。使与一对磁轭(4a、4b)的回转方向垂直的截面的面积分别在与层叠体(S20a、S20b)相向的连接部分(14a、14b)成为最小而构成。由此能够使通过写入电流在写入位线(5a、5b)及写入字线(6)中流动而产生的回流磁场(16a、16b)的磁通密度在连接部分(14a、14b)最高，使有效、稳定的信息写入成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 存储 单元 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻效应元件，其特征在于：设有在沿导线延伸方向的一部分区域上为包围所述导线而沿回转方向配置的磁轭，以及包含磁化方向因外部磁场而变化的感磁层、在磁性上与所述磁轭连接的层叠体；所述磁轭的垂直于所述回转方向的截面的面积在与所述层叠体的连接部分处为最小。
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