[发明专利]半导体器件无效

专利信息
申请号: 200410085668.7 申请日: 1999-02-15
公开(公告)号: CN1617342A 公开(公告)日: 2005-05-18
发明(设计)人: 小冢开 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06;H01L27/14;H01L27/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 付建军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在由电流镜像电路驱动的光电转换器件中,电流镜像电路是由4个晶体管组成,例如,第一和第二PMOS晶体管和第一和第二NMOS晶体管。配置了一个阴极连到第二PMOS晶体管的漏极上并接收反向偏压的光电二极管。在光电二极管中产生的电子能阻止与光电二极管相连的节点的电势的上升以便即使在光照射时能正常驱动光电转换器件。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1、一种半导体器件,包含一个由至少是第一导电类型的第一区域和第二导电类型的第二区域组成的一个控制电路,所述控制电路包括一个半导体部件,其中当由于所述半导体器件的外部干扰引起在第一和第二区域中的任何一个出现一个电势变化,将引起一个与电势变化相反的电势变化。
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