[发明专利]半导体器件无效
申请号: | 200410085668.7 | 申请日: | 1999-02-15 |
公开(公告)号: | CN1617342A | 公开(公告)日: | 2005-05-18 |
发明(设计)人: | 小冢开 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L27/14;H01L27/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 付建军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在由电流镜像电路驱动的光电转换器件中,电流镜像电路是由4个晶体管组成,例如,第一和第二PMOS晶体管和第一和第二NMOS晶体管。配置了一个阴极连到第二PMOS晶体管的漏极上并接收反向偏压的光电二极管。在光电二极管中产生的电子能阻止与光电二极管相连的节点的电势的上升以便即使在光照射时能正常驱动光电转换器件。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1、一种半导体器件,包含一个由至少是第一导电类型的第一区域和第二导电类型的第二区域组成的一个控制电路,所述控制电路包括一个半导体部件,其中当由于所述半导体器件的外部干扰引起在第一和第二区域中的任何一个出现一个电势变化,将引起一个与电势变化相反的电势变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的