[发明专利]固态成像装置及其制造方法无效
申请号: | 200410085688.4 | 申请日: | 2004-10-12 |
公开(公告)号: | CN1610126A | 公开(公告)日: | 2005-04-27 |
发明(设计)人: | 三室研;内田干也;越智元隆 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 夏青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种固体成像装置,包括:形成在P型阱内的多个N型光电二极管区;栅极,具有与每一个所述光电二极管区相邻的一个边缘,以及厚度不多于10nm的栅氧化膜;N型漏区,与该栅极的另一边缘相邻;和具有浅槽隔离结构的元件隔离部分。栅极的一个边缘交叠光电二极管区。在从光电二极管区延伸到漏区的表面部分上形成第一区、第二区和第三区,形成的状态使得:设置第一区与栅极的一个边缘相距预定的距离并具有P型第一浓度C1,设置第二区具有与第一区相邻的一个边缘和交叠该栅极的另一边缘,并具有P型第二浓度C2,设置第三区具有与第二区相邻的一个边缘和与该漏区相邻的另一边缘,并具有P型第三浓度C3,其中C1>C2>C3或C1≈C2>C3。它具有良好的低压读出特性,并充分抑制诸如白瑕疵和暗电流的图像缺陷。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种固体成像装置,包括:多个N型光电二极管区,形成在硅衬底的P型阱内,以便对入射光进行光电转换;栅极,具有与每一个所述光电二极管区相邻的一个边缘,以及厚度不多于10nm的栅氧化膜;N型漏区,与该栅极的另一个边缘相邻;和元件隔离部分,具有浅槽隔离结构,以便分别隔离由若干组相应的光电二极管区和MOS晶体管组成的多个元件;其中,该栅极具有交叠光电二极管区的一个边缘部分;和在从光电二极管区的上部延伸到该漏区的表面部分上形成第一区、第二区和第三区,形成的状态使得:设置第一区与该栅极的一个边缘相距预定的距离并具有P型第一浓度C1,设置第二区具有与第一区相邻的一个边缘和在一定区域内交叠该栅极的另一个边缘,并具有P型第二浓度C2,设置第三区具有与第二区相邻的一个边缘和与该漏区相邻的另一个边缘,并具有P型第三浓度C3;且相应的浓度具有如下关系:C1>C2>C3或C1≈C2>C3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的