[发明专利]固态成像装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200410085688.4 申请日: 2004-10-12
公开(公告)号: CN1610126A 公开(公告)日: 2005-04-27
发明(设计)人: 三室研;内田干也;越智元隆 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/335
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 夏青
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种固体成像装置,包括:形成在P型阱内的多个N型光电二极管区;栅极,具有与每一个所述光电二极管区相邻的一个边缘,以及厚度不多于10nm的栅氧化膜;N型漏区,与该栅极的另一边缘相邻;和具有浅槽隔离结构的元件隔离部分。栅极的一个边缘交叠光电二极管区。在从光电二极管区延伸到漏区的表面部分上形成第一区、第二区和第三区,形成的状态使得:设置第一区与栅极的一个边缘相距预定的距离并具有P型第一浓度C1,设置第二区具有与第一区相邻的一个边缘和交叠该栅极的另一边缘,并具有P型第二浓度C2,设置第三区具有与第二区相邻的一个边缘和与该漏区相邻的另一边缘,并具有P型第三浓度C3,其中C1>C2>C3或C1≈C2>C3。它具有良好的低压读出特性,并充分抑制诸如白瑕疵和暗电流的图像缺陷。
搜索关键词: 固态 成像 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种固体成像装置,包括:多个N型光电二极管区,形成在硅衬底的P型阱内,以便对入射光进行光电转换;栅极,具有与每一个所述光电二极管区相邻的一个边缘,以及厚度不多于10nm的栅氧化膜;N型漏区,与该栅极的另一个边缘相邻;和元件隔离部分,具有浅槽隔离结构,以便分别隔离由若干组相应的光电二极管区和MOS晶体管组成的多个元件;其中,该栅极具有交叠光电二极管区的一个边缘部分;和在从光电二极管区的上部延伸到该漏区的表面部分上形成第一区、第二区和第三区,形成的状态使得:设置第一区与该栅极的一个边缘相距预定的距离并具有P型第一浓度C1,设置第二区具有与第一区相邻的一个边缘和在一定区域内交叠该栅极的另一个边缘,并具有P型第二浓度C2,设置第三区具有与第二区相邻的一个边缘和与该漏区相邻的另一个边缘,并具有P型第三浓度C3;且相应的浓度具有如下关系:C1>C2>C3或C1≈C2>C3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410085688.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top