[发明专利]光信息记录介质和制造该介质的方法有效
| 申请号： | 200410085725.1 | 申请日： | 2004-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1606081A | 公开（公告）日： | 2005-04-13 |
| 发明（设计）人： | 土生田晴比古;山田升;长田宪一;西原孝史 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24;G11B7/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王玮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种其中可以利用激光束来记录和再现信息的光信息记录介质。所述介质包括：具有引导槽的衬底、以及至少包括第一金属层、阻挡层和第二金属层(按照该次序沉积在衬底上)的多层膜、或者至少包括金属层和记录层(按照该次序沉积在衬底上)的单层金属膜。所述第二金属层和单层金属膜的金属层是包含Al和金属元素(添加剂)作为主要成分的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 信息 记录 介质 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用激光束来记录和再现信息的光信息记录介质，所述记录介质包括：具有引导槽的衬底，至少将第一金属层、阻挡层、第二金属层和记录层按照该次序形成于所述衬底上；其中第二金属层主要由主要成分为Al和作为添加剂的金属元素的材料构成；以及所述金属元素是包含从以下的组中选择的至少一个元素的材料，所述组由处于0.1-15.0原子百分比范围内的Cu、Ag、Au、B、Bi、Cd、Ga、Ge、Pb、Sn和Zn、处于0.1-10.0原子百分比范围内的Ni、Si和Pt、以及处于0.1-7.5原子百分比范围内的Ta、Cr和Ti构成。
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