[发明专利]覆晶构装制造方法及其装置无效
申请号: | 200410085743.X | 申请日: | 2004-10-11 |
公开(公告)号: | CN1761042A | 公开(公告)日: | 2006-04-19 |
发明(设计)人: | 刁国栋 | 申请(专利权)人: | 天瀚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L23/48;H01L31/00;B81B7/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 文琦;陈肖梅 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种覆晶构装制造方法,具有改善传统光电芯片如光传感器芯片封装技术的能力,以光电芯片结合于具电路布局层的透明基板(如玻璃基板)上的预定位置,通过一接合垫电性连接该光电芯片与该透明基板的该预定区域,并确定其内存在有一密封的空夹层,再进行后续对每一芯片构装进行切割成单体,并可依规格组装成模块,重新提供有别于传统的光电芯片的封装技术,以提升生产良率,节省材料及工时成本。 | ||
搜索关键词: | 覆晶构装 制造 方法 及其 装置 | ||
【主权项】:
1.一种覆晶构装制造方法,其特征是,该步骤包含:取得透明基板;布置电路布局层于该透明基板的第一面的预定区域;置备芯片;设置接合垫于该芯片与该透明基板的该电路布局层之间;及结合该芯片于已布置电路的该透明基板的该第一面,且该芯片透过该接合垫连接至该透明基板的该电路布局层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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