[发明专利]多晶硅膜的形成方法有效
| 申请号： | 200410085784.9 | 申请日： | 2004-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN1638022A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 孙暻锡;李镐年;柳明官;朴宰彻;金億洙;李俊昊;权世烈 | 申请（专利权）人： | 京东方显示器科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/84;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅(poly－Si)膜的形成方法，本发明的多晶硅膜形成方法是一种通过激光照射使非晶硅(a－Si)膜结晶化以形成多晶硅膜的方法，其包括以下步骤：在玻璃基板上依次蒸镀隔离膜及非晶硅膜；在上述玻璃基板的后面蒸镀具有激光反射功能的金属膜；从上述非晶硅膜的前面照射激光，同时使由上述金属膜反射的激光被该非晶硅膜再吸收，由此使该非晶硅膜二次结晶。本发明的特征在于使非晶硅膜二次结晶，故能形成具有非常大的晶粒的多晶硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、多晶硅膜的形成方法，该方法是利用激光照射通过使非晶硅膜结晶而形成多晶硅膜的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：在玻璃基板上依次蒸镀隔离膜和非晶硅膜的步骤；在上述玻璃基板的后面蒸镀具有激光反射功能的金属膜的步骤；和从上述非晶硅膜的前面照射激光，同时使由上述金属膜反射的激光被该非晶硅膜再吸收，由此使该非晶硅膜二次结晶的步骤。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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