[发明专利]一种发光二极管的结构及其制造方法

摘要

本发明是采用高导电性与高反射率的金属基板，取代传统吸光的砷化镓基板，并在二极管制造完成后再采用半导体制程形成串接导线，以使两相邻的发光二极管形成串联。其技术特征包含以粘以镜面保护层保护发光二极管磊晶片的金属反射层p及n个电极，一高一低，因此而形成具有高导热与高反射率基板的p、n电极同侧的发光二极管。再利用蚀刻技术对两个相邻发光二极管磊晶片连接处施以蚀刻以形成沟渠，再形成一介电层填入沟渠，并保护相邻发光二极管之侧壁。最后再形成连线金属层，用以将一发光二极管的p电极连接至n电极，完成二个发光二极管的串接。本发明的发光二极管大幅度提高了发光二极管的发光效率，增加了发光强度。

主权项

1、一种发光二极管，其特征在于：包含两个多层磷化铝镓铟磊晶层结构被以一介电层隔离，而构成第一晶粒及第二晶粒；一金属层形成于介电层上并与所述两个多层磷化铝镓铟磊晶层结构的各一相反电性的电极连接，以构成串联结构；所述每一个磊晶层结构包含：一上包覆层、一活性层、以及一下包覆层；一欧姆接点磊晶层形成于所述上包覆层上；一第一欧姆接点金属电极层形成于欧姆接点磊晶层上；一镜面保护层形成于该欧姆接点磊晶层上，并包覆该第一欧姆接点金属电极层；一金属粘接层；一高导热基板；一非导体型保护层形成于高导热基板上，并以金属粘接层粘合于镜面保护层上；一第二欧姆接点金属电极层形成于该下包覆层上；每一多层磷化铝镓铟包含一连接通道于其中，用以电性连接该第一欧姆接点金属电极层；一金属钉线电极层形成于裸露的第一欧姆接点金属电极层上及该第二欧姆接点金属电极层上。