[发明专利]用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法有效
| 申请号： | 200410085851.7 | 申请日： | 2004-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN1770397A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 林家兴;陈麒麟;陈昱丞;蔡柏豪 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/324;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法，是先在基板上形成非晶硅层，然后形成一热滞留层于非晶硅层之上，其中，借由对热滞留层的厚度控制，使热滞留层具有一抗反射厚度，以降低非晶硅的全熔临界能量。最后，进行激光加热结晶工序，使非晶硅层结晶为多晶硅层，其中，部份激光能量是穿透热滞留层使熔融非晶硅层，而部份激光能量则保留于热滞留层中，使持续加热非晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 多晶 制作 辅助 激光 结晶 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法，至少包含：形成一非晶硅层于一基板上；形成至少一热滞留层，堆叠于该非晶硅层之上，其中，该热滞留层具有一抗反射厚度，以使降低一非晶硅全熔临界能量；以及进行一激光加热工序，使该非晶硅层转变成一多晶硅层，其中该激光加热工序所使用的一激光光束能量，是部分穿透该热滞留层，以及部分被该热滞留层所吸收。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
