[发明专利]记忆胞的操作方法有效
| 申请号： | 200410085854.0 | 申请日： | 2004-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1670943A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | 叶致锴;陈宏岳;廖意瑛;蔡文哲;卢道政 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8247;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种记忆胞的操作方法，此方法是先设定记忆胞在第一闸极启始电压的初始状态，然后，再依序进行一步骤。上述的步骤为首先施加一偏压至闸极与第一接合区域之间，以使电洞迁移且停留在电荷陷入层中。接着，估算对偏压反应而产生的读取电流以决定是否达到第二闸极启始电压，其中第二闸极启始电压低于第一闸极启始电压。之后，藉由变化闸极与第一接合区域之间的偏压，以重复多次的步骤，直到达到第二闸极启始电压，且记忆胞处于可程序化状态。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆 操作方法 | ||
【主权项】：
1、一种记忆胞的操作方法，其特征在于其中该记忆胞包含有一第一接合区域、一第二接合区域、一基极、一非传导式电荷陷入层与一闸极，该方法包括：依序进行一步骤，该步骤包括：施加一偏压于该基极与该闸极之间，以使电子迁移且停留在该电荷陷入层中；估算对该偏压反应而产生的一读取电流以决定是否达到一闸极启始电压；以及藉由变化该基极与该闸极之间的该偏压，以重复多次的该步骤，直到达到该闸极启始电压，且该记忆胞处于一抹除状态。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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