[发明专利]放电管用反相器电路无效
申请号: | 200410085942.0 | 申请日: | 2004-10-25 |
公开(公告)号: | CN1610474A | 公开(公告)日: | 2005-04-27 |
发明(设计)人: | 牛岛昌和;木岛稔 | 申请(专利权)人: | 牛岛昌和;陈宏飞 |
主分类号: | H05B41/14 | 分类号: | H05B41/14;H05B41/26;H02M7/48 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 夏青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种放电管用反向器电路,包含磁性连续的中心磁芯、一次线圈及分布常数性的二次线圈的变压器。该二次线圈侧产生的漏电感与二次线圈分布电容,与靠近接近导体的放电管周边产生的寄生电容之间构成共振电路的一部分,且该共振电路共振,借此,该二次线圈包括多个具有密耦合部分与疏耦合部分的漏泄磁束型升压变压器。密耦合部分的磁相位与前述一次线圈接近。疏耦合部分的相位较前述一次线圈下的磁相位延迟。 | ||
搜索关键词: | 放电 管用 反相器 电路 | ||
【主权项】:
1、一种放电管用反相器电路,其特征在于包含:磁性连续的中心磁芯、一次线圈、及分布常数性的二次线圈的变压器,该二次线圈侧产生的漏电感与二次线圈分布电容和靠近接近导体的放电管周边产生的寄生电容之间构成共振电路的一部分,且该共振电路共振,借此,该二次线圈包括多个具有密耦合部分与疏耦合部分的漏泄磁束型升压变压器,所述密耦合部分的磁相位与所述一次线圈接近,并且贯入在所述一次线圈下所产生的多个磁束,并且磁性地紧密耦合,并位于所述一次线圈附近,所述疏耦合部分的相位较所述一次线圈下的磁相位延迟,并且在所述一次线圈下所产生的多个磁束漏泄,并且远离所述一次线圈而磁性地疏耦合。
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