[发明专利]导电和绝缘准氮化镓基生长衬底及其低成本的生产技术和工艺

摘要

本发明揭示大直径高质量的导电和绝缘两种准氮化镓基晶片及其在硅晶片上生长的技术和工艺，以及分别在导电和绝缘准氮化镓基晶片上生长垂直和横向结构的大功率氮化镓基半导体发光二极管的技术。在硅晶片上生长准氮化镓基晶片的工艺流程包括：在硅晶片上生长第一中间媒介层，外延生长氮化镓基外延层，层叠反射/欧姆层，键合支持衬底，剥离硅生长衬底，得到氮化镓基外延层键合在支持衬底上，构成准氮化镓基晶片。

主权项

1.一种导电准氮化镓基晶片，其组成部分包括，但不限于：-导电支持衬底；其中，所述的导电支持衬底是从一组材料中选出，该组材料包括但不限于：导电硅晶片，熔点高于氮化镓基外延层的生长温度的导电薄片；-第一类型氮化镓基外延层；其中，所述的第一类型氮化镓基外延层的材料是从一组材料中选出，该组材料包括，但不限于，由元素氮，硼，铝，镓，铟组成的二元系，三元系，和四元系，例如：第一类型氮化镓，第一类型铝镓氮(AlGaN)，第一类型铝铟镓氮(AlInGaN)；其中，所述的第一类型氮化镓基外延层是n-类型氮化镓基外延层和p-类型氮化镓基外延层之一；-反射/欧姆层；其中，所述的反射/欧姆层层叠于所述的导电支持衬底和所述的第一类型氮化镓基外延层之间；其中，所述的反射/欧姆层的材料是从一组材料中选出，该组材料包括，但不限于：金，铑，铂，镍，和它们的合金。