[发明专利]磁阻效应元件无效
| 申请号： | 200410086790.6 | 申请日： | 2004-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1707617A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 驹垣幸次郎;野间贤二 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本磁阻效应元件可以通过传统的工艺制造，并且能够限制噪音或泄漏的磁信号的影响，从而可以大大提高磁记录密度。该磁阻效应元件包括：包含自由层的磁阻薄膜；和在磁道宽度方向上分别在自由层的两侧提供的屏蔽部件，该屏蔽部件是软磁薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 | ||
【主权项】：
1、一种磁阻效应元件，该元件包括：包含自由层的磁阻薄膜；和在磁道宽度方向上分别在自由层两侧提供的屏蔽部件，该屏蔽部件是软磁薄膜。
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