[发明专利]半导体激光器件无效
| 申请号： | 200410086916.X | 申请日： | 2004-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1610197A | 公开（公告）日： | 2005-04-27 |
| 发明（设计）人： | 滨冈治;中津弘志;市川英树 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/0683 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体激光器件，包括一体子安装件(3)，所述子安装件(3)由预定材料(例如SiC或AlN)组成并放置在安装表面(9)上。激光二极管(1)放置在子安装件(3)上表面的前部分。由晶体硅组成的监视光电二极管(4)堆叠在从激光二极管(1)向后的子安装件3上表面的一部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器件，包括：一体的子安装件，所述一体的子安装件由预定材料构成并放置在安装表面上；激光二极管，所述激光二极管放置在子安装件的上表面的前部上；和监视光电二极管，所述监视光电二极管由晶体硅薄膜构成并堆叠在从激光二极管向后的子安装件的上表面的一部分上。
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