[发明专利]半导体存储装置的制造方法无效
| 申请号： | 200410086917.4 | 申请日： | 2004-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1610097A | 公开（公告）日： | 2005-04-27 |
| 发明（设计）人： | 荒井雅利 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/8239;H01L27/088;H01L27/105;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体存储装置，在半导体基板(101)上的所定区域，形成元件分离区(102)后，在非易失性存储器部及逻辑电路部中形成成为非易失性存储器部的捕捉膜的ONO膜(121)，从而保护元件分离区(102)。接着，形成非易失性存储器部，再在逻辑电路部中，为了形成周边晶体管的阱及调整临界值电压而注入离子后，除去ONO膜(121)，在所定位置上形成栅电极。从而可以防止元件分离区残留的保护膜造成的特性劣化，简化制造工序，制造出可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储装置的制造方法，是在半导体基板上设置逻辑电路部和非易失性存储器部的半导体存储装置的制造方法，其特征是：包括：在所述半导体基板上形成沟槽，将绝缘膜埋入形成的所述沟槽中，从而形成元件分离区的工序；在所述半导体基板中的所述逻辑电路部及所述非易失性存储器部之上，形成由绝缘性材料构成的保护膜的工序；向所述半导体基板中的所述逻辑电路部的所定区域，选择性地掺入杂质离子的工序；以及除去所述逻辑电路部上形成的保护膜的工序，所述掺入杂质离子的工序，在所述除去保护膜的工序之前进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
