[发明专利]非挥发性存储单元的制作方法无效
| 申请号： | 200410086966.8 | 申请日： | 2004-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1763932A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 宋达;吴升 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/8239;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非挥发性存储单元的制作方法，先于一基底上形成一第一介电层，再于第一介电层上形成具有沟槽的一图案化掩模层。接着，于沟槽的侧壁上形成一对电荷储存间隙壁，再去除图案化掩模层。之后，于基底上形成一第二介电层，覆盖电荷储存间隙壁，再于第二介电层上形成一导体层。随后，图案化导体层，以于电荷储存间隙壁上形成一栅极结构。之后，移除未被栅极结构覆盖的第二与第一介电层，再于栅极结构两侧的基底内形成源极/漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储 单元 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种非挥发性存储单元的制作方法，包括：于一基底上形成一第一介电层；于该第一介电层上形成一图案化掩模层，其中该图案化掩模层具有一沟槽；于该沟槽的侧壁上形成一对电荷储存间隙壁；去除该图案化掩模层；于该基底上形成一第二介电层，覆盖该对电荷储存间隙壁与该第一介电层；于该第二介电层上形成一导体层；图案化该导体层，以于该对电荷储存间隙壁上形成一栅极结构；移除未被该栅极结构覆盖的该第二介电层与该第一介电层；以及于该栅极结构两侧的该基底内形成多个源极/漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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