[发明专利]光电二极管的制作方法无效
申请号: | 200410086967.2 | 申请日: | 2004-10-20 |
公开(公告)号: | CN1763978A | 公开(公告)日: | 2006-04-26 |
发明(设计)人: | 张格滎;张骕远 | 申请(专利权)人: | 力晶半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种光电二极管的制作方法,其中此光电二极管形成于第一导电型的一基底上。此方法先形成一隔离结构于基底中,以于基底中定义出光感测区。接着,于基底中形成多个沟槽。之后,于基底上形成第二导电型的一掺杂层,其中此掺杂层至少覆盖沟槽的内壁与基底的部分顶面。此光电二极管的制作方法可缩短整体工艺时间,并达到增加生产效率与降低生产成本的目的。 | ||
搜索关键词: | 光电二极管 制作方法 | ||
【主权项】:
1、一种光电二极管的制作方法包括:于一基底中形成一第一导电型的一阱区;于该基底中形成一隔离结构,以于该基底中定义出一光感测区;于该光感测区内的该基底中形成多个沟槽;以及于该基底上形成一第二导电型的一掺杂层,该掺杂层覆盖该些沟槽的内壁与该光感测区内的该基底表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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