[发明专利]光电二极管的制作方法无效

专利信息
申请号: 200410086967.2 申请日: 2004-10-20
公开(公告)号: CN1763978A 公开(公告)日: 2006-04-26
发明(设计)人: 张格滎;张骕远 申请(专利权)人: 力晶半导体股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种光电二极管的制作方法,其中此光电二极管形成于第一导电型的一基底上。此方法先形成一隔离结构于基底中,以于基底中定义出光感测区。接着,于基底中形成多个沟槽。之后,于基底上形成第二导电型的一掺杂层,其中此掺杂层至少覆盖沟槽的内壁与基底的部分顶面。此光电二极管的制作方法可缩短整体工艺时间,并达到增加生产效率与降低生产成本的目的。
搜索关键词: 光电二极管 制作方法
【主权项】:
1、一种光电二极管的制作方法包括:于一基底中形成一第一导电型的一阱区;于该基底中形成一隔离结构,以于该基底中定义出一光感测区;于该光感测区内的该基底中形成多个沟槽;以及于该基底上形成一第二导电型的一掺杂层,该掺杂层覆盖该些沟槽的内壁与该光感测区内的该基底表面。
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