[发明专利]高迁移率异质结互补场效应晶体管及其方法有效
| 申请号： | 200410087009.7 | 申请日： | 2004-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN1612353A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | 欧阳齐庆;陈向东 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L27/092;H01L21/335;H01L21/8232 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种高性能场效应器件的结构和制备方法。该MOS结构包括一种导电类型的晶体Si本体，外延地生长在Si本体上作为空穴的埋置沟道的应变的SiGe层，外延地生长在SiGe层作为用于电子的表面沟道的Si层，源和漏，包括外延淀积并具有与Si本体相反的导电极性的应变的SiGe。SiGe源和漏与Si本体形成了异质结和冶金结，其中异质结和冶金结以小于约10nm，优选小于约5nm的公差重合。异质结源/漏为减少短沟道效应的手段。由于增加了压缩应变的SiGe沟道，这些结构对PMOS特别有利。代表性的实施例包括块材和SOI上的CMOS结构。 | ||
| 搜索关键词： | 迁移率 异质结 互补 场效应 晶体管 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应器件，包括：一种导电类型的晶体Si本体；外延地设置在所述Si本体上的SiGe层；外延地设置在所述SiGe层上的Si层；以及源和漏，包括与Si本体成外延关系的SiGe，并通过SiGe层和Si层相互连接，源和漏具有与Si本体相反的导电类型，每个与Si本体形成了异质结和冶金结，其中异质结和冶金结以小于约10nm的公差重合。
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