[发明专利]避免沟槽底部毛边生成的多晶硅刻蚀工艺有效
| 申请号： | 200410087099.X | 申请日： | 2004-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1616367A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 孙静 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C03C15/00 | 分类号： | C03C15/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 耿小强 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅刻蚀工艺，其步骤如下：(1)刻蚀硬掩膜；(2)去胶；(3)多晶硅刻蚀；(4)过刻蚀：在传统工艺中加入八氟化四碳工艺气体2－50sccm，此外溴化氢为100－500sccm，氦/氧气的流量为0－100sccm，上下电极功率分别为400－1500w、0－200w，压力为10－200mTorr。采用本工艺可以避免聚合物过多产生并在沟槽底部生成毛边。 | ||
| 搜索关键词： | 避免 沟槽 底部 毛边 生成 多晶 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种多晶硅刻蚀工艺，其步骤如下：(1)刻蚀硬掩膜：反应气体中含氟气体CXFYHZ；其中X为1-4中的整数；Y为4-8中的整数；Z为0-1；(2)去胶；(3)多晶硅刻蚀；(4)过刻蚀。
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