[发明专利]具有互连的感应器和提供合成磁场的感应器部分有效
| 申请号： | 200410087407.9 | 申请日： | 2004-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1612343A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | 前田茂伸;梁正焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/01 | 分类号： | H01L27/01 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片上的感应器，其包括配置成提供芯片上感应器的主磁场的主感应器部分。互连感应器部分电耦合于主感应器部分并配置成提供与主磁场相长合成的互连磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 互连 感应器 提供 合成 磁场 部分 | ||
【主权项】：
1.一种芯片上的感应器，包括：配置成提供感应器的主磁场的主感应器部分；和电耦合于所述主感应器部分的互连感应器部分，其配置成提供与所述主磁场相长合成的互连磁场。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
