[发明专利]半导体激光器的制造方法有效
| 申请号： | 200410087416.8 | 申请日： | 2004-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1604412A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 山根启嗣;上田哲生;木户口勋;河田敏也 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新;梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造半导体器的方法。作为用电介质膜涂覆谐振腔的端面的制备步骤，对作为端面的半导体叠层结构的解理面进行等离子体清洗以阻止吸收激光的导电膜粘附在解理面。在等离子体清洗期间，将含有氩气和氮气的第一处理气体引入真空的ECR溅射装置。在不施加电压的情况下将解理面暴露于处于等离子体态的第一处理气体中一段时间之后，引入含有氩气和氧气的第二处理气体，并当对硅靶施加电压时，将解理面暴露于处于等离子体态的第二处理气体中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体激光器的制造方法，其通过用使用溅射装置的等离子体清洗来清洗半导体叠层结构的解理面而制造该半导体激光器，该解理面将作为谐振腔的端面，该方法包括：在溅射装置中放置具有解理面的半导体叠层结构的第一步骤；将包含反应气体和惰性气体的处理气体引入到溅射装置中，然后使处理气体转变为等离子体态的第二步骤；以及当没有电压施加到靶材料时，将靶材料和解理面暴露于处于等离子体态的处理气体中，引起靶材料和反应气体反应以形成反射预定波长的光的化合物，以便在解理面上形成该化合物薄膜的第三步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410087416.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：车载设备用的面板驱动装置
- 下一篇：制备涂有稀土金属氧化物的微孔材料的方法
