[发明专利]晶片加工方法有效
| 申请号： | 200410087419.1 | 申请日： | 2004-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN1595637A | 公开（公告）日： | 2005-03-16 |
| 发明（设计）人： | 永井祐介;青木昌史;星野仁志 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪斯科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/301;B23K26/00;B28D5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新;梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶片加工方法，用于沿着分割线分割该晶片，该晶片具有形成在由分割线截取的多个区域中的光学器件，分割线在前表面上以晶格图案形成，该方法包括：激光光束施加步骤，将激光光束沿着分割线从晶片的后表面的一侧施加到晶片上，从而在后表面上形成具有预定深度的槽；防护板粘贴步骤，将防护板粘贴到在后表面中具有槽的晶片的前表面上；分割步骤，对具有粘贴到前表面的防护板的晶片沿着槽进行分割；以及研磨步骤，在防护板粘贴到晶片上的状态下对沿着槽被分割的晶片的后表面进行研磨，从而去掉槽。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片加工方法，用于沿着分割线分割该晶片，该晶片具有形成在由分割线截取的多个区域中的光学器件，分割线在前表面上以晶格图案形成，该方法包括：激光光束施加步骤，将激光光束沿着分割线从晶片的后表面的一侧施加到晶片上，从而在后表面上形成具有预定深度的槽；防护板粘贴步骤，将防护板粘贴到在后表面中具有槽的晶片的前表面上；分割步骤，对具有粘贴到前表面的防护板的晶片沿着槽进行分割；以及研磨步骤，在防护板粘贴到晶片上的状态下对沿着槽被分割的晶片的后表面进行研磨，从而去掉槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪斯科，未经株式会社迪斯科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410087419.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：耐火陶瓷格子块
- 下一篇：磁性记录介质及磁性记录介质用衬底
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
