[发明专利]含铪膜形成材料、以及该形成材料和含铪薄膜的制造方法无效
申请号: | 200410087435.0 | 申请日: | 2004-09-08 |
公开(公告)号: | CN1664164A | 公开(公告)日: | 2005-09-07 |
发明(设计)人: | 斋笃;曾山信幸;柳泽明男 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C07F7/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 曹雯;庞立志 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种气化稳定性优良、具有较高成膜速度的含铪膜形成材料以及该形成材料的制造方法。还提供一种具有良好的段差覆盖性的含铪薄膜的制造方法。本发明是一种含有有机铪化合物的含铪膜形成材料的改良,其中该有机铪化合物含有由铪原子与氮原子形成的键,或由铪原子与氧原子形成的键,具有其特征的构成在于形成材料中所含的锆元素的含量在650ppm或以下。 | ||
搜索关键词: | 含铪膜 形成 材料 以及 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种含铪膜形成材料,其为包含有机铪化合物的含铪膜形成材料,其特征在于:前述形成材料中所含的锆元素的含量在650ppm或以下。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的