[发明专利]含铪膜形成材料、以及该形成材料和含铪薄膜的制造方法无效

专利信息
申请号: 200410087435.0 申请日: 2004-09-08
公开(公告)号: CN1664164A 公开(公告)日: 2005-09-07
发明(设计)人: 斋笃;曾山信幸;柳泽明男 申请(专利权)人: 三菱综合材料株式会社
主分类号: C23C16/18 分类号: C23C16/18;C07F7/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 曹雯;庞立志
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种气化稳定性优良、具有较高成膜速度的含铪膜形成材料以及该形成材料的制造方法。还提供一种具有良好的段差覆盖性的含铪薄膜的制造方法。本发明是一种含有有机铪化合物的含铪膜形成材料的改良,其中该有机铪化合物含有由铪原子与氮原子形成的键,或由铪原子与氧原子形成的键,具有其特征的构成在于形成材料中所含的锆元素的含量在650ppm或以下。
搜索关键词: 含铪膜 形成 材料 以及 薄膜 制造 方法
【主权项】:
1.一种含铪膜形成材料,其为包含有机铪化合物的含铪膜形成材料,其特征在于:前述形成材料中所含的锆元素的含量在650ppm或以下。
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