[发明专利]半导体化合物发光二极管组件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410087724.0 | 申请日： | 2004-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN1763981A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗良;王百祥;张智松;陈泽澎 | 申请（专利权）人： | 国联光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 徐申民 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管的结构及其制造方法，包含在蓝宝石基板上依次形成n型氮化镓化合物电极层、氮化镓基活化层、p型氮化镓基化合物层、铟金属层及透明导体氧化层。其中，透明导体氧化层、铟金属层、p型氮化镓基化合物层、氮化镓基活化层及部分的n型氮化镓化合物电极层经蚀刻后而使部分n型氮化镓化合物电极层裸露，用以在其上形成n型电极。而透明导体氧化层上则另外形成一个p型电极。接着，再经过退火处理使铟金属层与p型氮化镓基化合物层界面形成p型的氮化铟镓基化合物薄层。另一侧的铟金属层则与透明导体氧化层或氮化层的界面互相融合。这样一来就可以使欧姆接触阻值大幅降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 化合物 发光二极管 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包含：基板；n型氮化镓化合物电极层，形成于所述基板上；氮化镓基活化层，形成于所述n型氮化镓基化合物层上，其中所述活化层面积小于所述n型氮化镓基化合物层，因此所述n型氮化镓基化合物层部分裸露；n型电极，形成于所述裸露的n型氮化镓基化合物层上；p型氮化镓基化合物层，形成于所述氮化镓基活化层上；铟金属层，形成于所述p型氮化镓基化合物层上；透明导体氧化层或氮化层其中之一，形成于所述铟金属层上；及p型电极，形成于所述透明导体氧化层上。
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