[发明专利]半导体显示器件有效
申请号: | 200410087791.2 | 申请日: | 2004-10-28 |
公开(公告)号: | CN1617351A | 公开(公告)日: | 2005-05-18 |
发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L23/60;G02F1/136 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;梁永 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的是提供一种利用更有效地防止电介质击穿的保护电路的半导体显示器件。在本发明中,在形成覆盖用作保护电路的TFT的第一层间绝缘膜和形成覆盖在该第一层间绝缘膜之上形成的布线的作为绝缘覆盖膜的第二层间绝缘膜的情况下,用于将TFT连接到其它半导体元件的布线形成为与该第二层间绝缘膜的表面接触,以确保释放在该第二层间绝缘膜的表面中累积的电荷的路径。注意:用作保护二极管的TFT称为二极管式连接的TFT,其中第一端子或第二端子之一连接到栅电极。 | ||
搜索关键词: | 半导体 显示 器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体显示器件,包括:至少第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管;形成的第一层间绝缘膜,以便覆盖该第一薄膜晶体管和该第二薄膜晶体管;形成的第一、第二和第三布线,以便与该第一层间绝缘膜的表面接触;在该第一层间绝缘膜之上形成的第二层间绝缘膜,覆盖该第一、第二和第三布线;形成的第四和第五布线,以便与该第二层间绝缘膜的表面接触;以及显示元件,形成为与该第二层间绝缘膜的表面接触并连接到该第五布线,其中该第一布线通过在该第一层间绝缘膜中形成的第一和第二接触孔连接到包含在该第一薄膜晶体管中的第一端子和栅电极;其中该第二布线通过在该第一层间绝缘膜中形成的第三接触孔连接到包含在该第一薄膜晶体管中的第二端子;其中该第三布线通过在该第一层间绝缘膜中形成的第四接触孔连接到包含在该第二薄膜晶体管中的第一端子或第二端子;其中该第四布线通过在该第二层间绝缘膜中形成的第五或第六接触孔连接到该第一布线或该第二布线,以及其中该第五布线通过在该第二层间绝缘膜中形成的第七接触孔连接到该第三布线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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