[发明专利]半导体激光器无效
| 申请号： | 200410087971.0 | 申请日： | 2004-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1624995A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 鴫原君男 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/024 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是减小垂直光束扩展角并减少高输出工作时的端面恶化，通过改善朝向散热体一侧的热移动来提高高输出工作时的可靠性。本发明的半导体激光器具备：具有一个主面的热沉24；在该热沉24的主面上配置的n－AlGaAs包层30；在该n－AlGaAs包层30上配置的AlGaAs有源层34；以及在该AlGaAs有源层34上配置的p－AlGaAs包层38，使AlGaAs有源层34的热沉24一侧的主面与n－AlGaAs包层30的热沉24一侧的主面之间的有效折射率和热阻分别比AlGaAs有源层34的与热沉24相反一侧的主面与p－AlGaAs包层38的与热沉24相反一侧的主面之间的有效折射率和热阻小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器，具备：具有一个主面的散热体；第1导电类型的第1半导体层，被配置在该散热体的主面上且具有与该散热体的主面对置的第1主面和与该第1主面互相对置的第2主面；有源层，被配置在该第1半导体层的第2主面上，具有与上述第1半导体层的第2主面对置的第1主面和与该第1主面互相对置的第2主面；以及第2导电类型的第2半导体层，被配置在该有源层的第2主面上，具有与上述有源层的第2主面对置的第1主面和与该第1主面互相对置的第2主面，其特征在于：上述有源层的第1主面与上述第1半导体层的第1主面之间的有效折射率比上述有源层的第2主面与上述第2半导体层的第2主面之间的有效折射率低，而且，上述有源层的第1主面与上述第1半导体层的第1主面之间的热阻比上述有源层的第2主面与上述第2半导体层的第2主面之间的热阻小。
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