[发明专利]抗蚀图增厚材料及其形成方法、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410088021.X | 申请日： | 2004-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1713074A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 野崎耕司;并木崇久;小泽美和 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑特强;经志强 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种抗蚀图增厚材料及其形成方法、半导体器件及其制造方法。该抗蚀图增厚材料能够增厚抗蚀图，并且超越在图案化期间所用的曝光光线的曝光限制形成精细的空间图案。该抗蚀图增厚材料包含树脂和相移催化剂。在形成抗蚀图的方法及制造半导体器件的方法中，本发明的抗蚀图增厚材料被适当地利用。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀图增厚 材料 及其 形成 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种抗蚀图增厚材料，包括：树脂；以及具有两个或更多羟基的多羟基醇。
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