[发明专利]SOI晶圆上的半导体组件的制造方法有效
| 申请号： | 200410088040.2 | 申请日： | 2004-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN1716574A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王铮;刘锋 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种防止在绝缘层上覆硅(silicon on insulator，SOI)晶圆的主动区侧壁下方形成底切(undercut)的方法。先在已定义的主动区域上沉积一层绝缘层，然后蚀刻此绝缘层，使其在主动区的侧壁形成间隙壁。并选择执行或不执行回火步骤以致密化此绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | soi 晶圆上 半导体 组件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种SOI晶圆上的半导体组件的制造方法，其特征在于，该制造方法至少包括以下步骤：提供一SOI晶圆，其中该SOI晶圆由下至上至少依序包含-底材、一深埋绝缘层与一磊晶层；图案化该磊晶层以形成若干个主动区，并暴露出位于该磊晶层下的该深埋绝缘层；形成一第一绝缘层覆盖在这些主动区与该深埋绝缘层的暴露面上；以及非等向性蚀刻该第一绝缘层，以在这些主动区的侧壁上形成至少一第一绝缘间隙壁，以避免后续湿式蚀刻或湿式清洗步骤因侧向蚀刻而在这些主动区下方形成底切缺口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
