[发明专利]半导体集成电路器件有效
| 申请号： | 200410088158.5 | 申请日： | 1998-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1604470A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 田中一雄;水野弘之;西山利惠;宫本学 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社 |
| 主分类号： | H03K3/356 | 分类号： | H03K3/356;H03K19/0185;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体集成电路器件，包括：输出缓冲器电路，具有一其源极连接到第一电压的PMOS晶体管，以及一其漏极连接到上述PMOS晶体管的漏极、其源极连接到第二电压的NMOS晶体管；第一控制电路，接收输出控制信号和输出信号，并输出第一控制信号；第二控制电路，接收所述输出控制信号和所述输出信号，并输出第二控制信号；第一反相器电路，其输入端连接到所述第一控制电路，而其输出端连接到所述PMOS晶体管；第二反相器电路，其输入端连接到所述第二控制电路，而其输出端连接到所述NMOS晶体管；第一静电击穿保护电路，设置在所述第一反相器电路的输出端和PMOS晶体管之间，以及第二静电击穿保护电路，设置在所述第二反相器电路的输出端和NMOS晶体管之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路器件，包括：输出缓冲器电路，具有一其源极连接到第一电压的PMOS晶体管，以及一其漏极连接到上述PMOS晶体管的漏极、其源极连接到第二电压的NMOS晶体管；第一控制电路，接收输出控制信号和输出信号，并输出第一控制信号；第二控制电路，接收所述输出控制信号和所述输出信号，并输出第二控制信号；第一反相器电路，其输入端连接到所述第一控制电路，而其输出端连接到所述PMOS晶体管；第二反相器电路，其输入端连接到所述第二控制电路，而其输出端连接到所述NMOS晶体管；第一静电击穿保护电路，设置在所述第一反相器电路的输出端和PMOS晶体管之间，以及第二静电击穿保护电路，设置在所述第二反相器电路的输出端和NMOS晶体管之间。
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