[发明专利]氮化镓基半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410088165.5 | 申请日： | 2004-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1617364A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 司空坦;白好善;李成男;孙重坤;李元硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种III－V族GaN基化合物半导体器件及其制造方法。该器件包括在具有多量子阱的有源层和p型GaN基化合物半导体层之间插入的AlGaN扩散阻挡层和InGaN牺牲层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种III-V族GaN基半导体器件，包括：一n型GaN基化合物半导体层；一包括设置在所述n型GaN基化合物半导体层上的交替叠置的量子阱和势垒层的有源层；一设置在所述有源层上的AlGaN扩散阻挡层；一形成于所述AlGaN扩散阻挡层上的InGaN牺牲层；以及一设置在所述InGaN牺牲层上的p型GaN基化合物半导体层。
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