[发明专利]非挥发性存储器结构及其制造方法

摘要

一种非挥发性存储器结构，其是由基底、多个栅极结构、多个选择栅极结构、间隙壁与源极区/漏极区所构成。其中，各个栅极结构由基底起至少是由底介电层、电荷陷入层、顶介电层、控制栅极与顶盖层所构成。多个选择栅极结构分别设置于多个栅极结构的一侧，并使多个栅极结构串联在一起，形成存储单元列，各个选择栅极结构由基底起至少是由选择栅极介电层与选择栅极所构成。间隙壁设置于栅极结构与选择栅极之间。源极区/漏极区分别设置于存储单元列两侧的基底中。

主权项

1、一种非挥发性存储器结构，包括：一基底，多个栅极结构，设置于该基底上，各该栅极结构由该基底起至少包括一底介电层、一电荷陷入层、一顶介电层、一控制栅极与一顶盖层；多个选择栅极结构，分别设置于各个该些栅极结构的一侧，并使该些栅极结构串联在一起，形成一存储单元列，各该选择栅极结构由该基底起至少包括一选择栅极介电层与一选择栅极；一间隙壁，设置于该些栅极结构与该些选择栅极之间；以及一源极区/漏极区，分别设置于该存储单元列两侧的该基底中。