[发明专利]作为铜阻挡层的电镀CoWP复合结构有效
| 申请号： | 200410088354.2 | 申请日： | 2004-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1618601A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | 小西里尔·加布莱尔;斯特芬尼·R·奇拉斯;埃马努埃尔·I·库伯;哈里克里亚·迪里吉安尼;安德鲁·J·凯劳克;朱迪斯·M·鲁比诺;罗格里·Y·蔡 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | B32B15/04 | 分类号： | B32B15/04;C25D3/56 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种复合材料，包括含有铜的层，以及在铜层上的电沉积的CoWP膜。CoWP膜含有从11原子百分比到25原子百分比的磷，厚度从5nm到200nm。本发明还涉及一种形成互连结构的方法，包括：在介质材料中提供沟槽或过孔和在沟槽或过孔中的含有铜的导电金属；以及通过电沉积在铜层上形成CoWP膜。CoWP膜含有从10原子百分比到25原子百分比的磷，厚度从5nm到200nm。本发明还涉及互连结构，包括：与金属层接触的介质层；在金属层上电沉积的CoWP膜；以及在CoWP膜上的铜层。 | ||
| 搜索关键词： | 作为 阻挡 电镀 cowp 复合 结构 | ||
【主权项】：
1.一种复合材料，包括：含有铜的层；以及在铜层上的电沉积CoWP膜，其中CoWP膜含有从11原子百分比到25原子百分比的磷，厚度从5nm到200nm。
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