[发明专利]浅沟槽填洞的测试图案层有效
| 申请号： | 200410088483.1 | 申请日： | 2004-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN1617318A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 张文;陆志诚;傅竹韵;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用以测试浅沟槽填洞的测试区域设计。具体为一浅沟槽填洞的测试图案层，包括：一测试区域，其中该测试区域包括一外边，以定义出一第一内部区；及一测试图案层，该测试图案层位于第一内部区中，该测试图案层是由一浅沟槽形成，以供作测试浅沟槽绝缘区的缝隙填充，该测试图案层定义出一边缘以形成一第二内部区。每一测试区域的内部更包括至少一测试图案层。在一较佳实施例中，此测试图案层是一方形层，更甚者是一两个相反且相对的L形层，此两个L形层彼此不连续。如此，可以在STI形成之后，即以光学仪器检查，实时反应实际情形STI结构的填洞状况。可克服现有长条形STI测试图案层无法反应实际STI结构边角状况的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 测试 图案 | ||
【主权项】：
1.一浅沟槽填洞的测试图案层，包括：一测试区域，其中该测试区域包括一外边，以定义出一第一内部区；及一测试图案层，其中该测试图案层是位于第一内部区中，该测试图案层是由一浅沟槽形成，以供作测试浅沟槽绝缘区的缝隙填充，该测试图案层定义出一边缘以形成一第二内部区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
