[发明专利]从晶圆背面切割以制成封装构造的方法有效
| 申请号： | 200410088520.9 | 申请日： | 2004-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1770411A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 余国宠 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/78;H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种从晶圆背面切割以制成封装构造的方法，其包括：(a)提供一第一晶圆，该第一晶圆具有一主动面及一背面，该主动面上具有复数条切割线；(b)从该主动面切割该第一晶圆，使其具有一第一参考轴及一第二参考轴，该第二参考轴垂直于该第一参考轴，而形成一参考坐标；(c)提供一第二晶圆，该第二晶圆具有一上表面及一下表面；(d)覆盖且接合该第二晶圆于该第一晶圆之上，该第二晶圆的下表面是面对该第一晶圆的主动面，以形成复数个空腔；及(e)以该参考座标为基准，从该第一晶圆的背面切割该第一晶圆的该等切割线的相对位置，以形成个别的封装构造。其不仅加工时间短且定位方便。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 切割 制成 封装 构造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制成封装构造的方法，其包括：(a)提供一第一晶圆，所述第一晶圆具有一主动面及一背面，所述主动面上具有复数条切割线，所述切割线定义出复数个晶粒，各所述晶粒上具有一环状垫块；(b)从所述主动面切割所述第一晶圆，使其具有一第一参考轴及一第二参考轴，所述第一及第二参考轴与所述晶粒间分别具有一预设距离，所述第二参考轴垂直于所述第一参考轴，而形成一参考座标；(c)提供一第二晶圆，所述第二晶圆具有一上表面及一下表面；(d)覆盖且接合所述第二晶圆于所述第一晶圆之上，所述第二晶圆的下表面是面对所述第一晶圆的主动面，以形成复数个空腔；及(e)以所述参考座标为基准，根据所述预设距离从所述第一晶圆的背面切割所述第一晶圆的所述切割线的相对位置，以形成个别的封装构造。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司，未经日月光半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410088520.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：模造玻璃的模仁
- 下一篇：实现种水同位的中耕作物免耕施肥坐水播种机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
