[发明专利]多端口存储装置无效

专利信息
申请号: 200410088568.X 申请日: 2004-11-05
公开(公告)号: CN1694178A 公开(公告)日: 2005-11-09
发明(设计)人: 朴炳一 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C11/4063 分类号: G11C11/4063;G11C11/4093;G11C11/4096;G11C11/413
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 王学强
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供一种半导体存储装置的列修复技术(columnrepair technology)。上述半导体存储装置包括:一正规总线连接部,用以在每一排组的多个总体数据总线与多个区域数据总线之间传送/接收数据;一冗余总线连接部,用以在每一排组的多个总体数据总线与多个区域数据总线之间传送/接收数据;一熔丝组,具有一故障列的物理位置信息;以及一开关部,对应于上述故障列,用以选择性地将上述正规总线连接部及上述冗余总线连接部的输出连接至上述多个总体数据总线,以响应上述故障列的物理位置信息。上述列冗余方案可应用于具有此一结构的半导体内存装置,以便可致能相关于一列地址的许多列选择线,以及亦可应用于没有存在一故障列地址的情况中。因此,可改善上述冗余效率及可防止芯片面积的增加。
搜索关键词: 多端 存储 装置
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,包括:正规总线连接装置,用以在每一排组的多个总体数据总线与多个区域数据总线间发送/接收数据;冗余总线连接装置,用以在每一排组的多个总体数据总线与多个区域数据总线间发送/接收数据;熔丝组,具有一故障列的一物理位置信息;以及开关装置,用以选择性地将该正规总线连接装置及该冗余总线连接装置的输出连接至该等总体数据总线,其对应于该故障列,以响应该故障列的物理位置信息。
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