[发明专利]控制介电抗反射层特性的方法及介电抗反射层的制造方法有效
| 申请号： | 200410088689.4 | 申请日： | 2004-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1776890A | 公开（公告）日： | 2006-05-24 |
| 发明（设计）人： | 罗兴安;吕前宏;苏金达 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/318;C23C16/30 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种控制介电抗反射层特性的方法及介电抗反射层的制造方法。该控制介电抗反射层特性的方法，其特征在于形成此种介电抗反射层时，在含硅气体源与氧气体源所组成的反应气体中加入一含氮气体源，以控制介电抗反射层的n值，并选择增加此含硅气体源对氧气体源或对含氮气体源的比例，以控制介电抗反射层的k值。因此，藉由可控制介电抗反射层的n值和k值，而可使此介电抗反射层达到最低底层反射的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 电抗 反射层 特性 方法 制造 | ||
【主权项】：
1、一种控制介电抗反射层特性的方法，适于形成由一含硅气体源与一氧气体源作为反应气体的一介电抗反射层，其特征在于形成该介电抗反射层时，更包括以下步骤：在该含硅气体源与该氧气体源中加入一含氮气体源，该含氮气体源和含硅气体源与氧气体源的总流量的比为0.01～10，以控制该介电抗反射层的n值；以及选择增加该含硅气体源对该氧气体源与对该含氮气体源其中之一的比例，以控制该介电抗反射层的k值。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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