[发明专利]采用水平电场的薄膜晶体管基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200410088814.1 | 申请日： | 2004-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1614742A | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | 柳洵城;赵兴烈 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/84;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用水平电场的薄膜晶体管基板结构，该结构包括一基板；在基板上由第一导电层彼此平行地形成的栅极线和公共线；在基板、栅极线和公共线上形成的栅极绝缘膜；由第二导电层在栅极绝缘膜上形成的数据线，该数据线与栅极线和公共线交叉以限定一像素区；连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管；覆盖数据线和薄膜晶体管的保护膜；由第三导电层形成的连接到公共线的公共电极，该公共电极设置在贯穿保护膜和栅极绝缘膜的第一孔内；以及连接到薄膜晶体管并且由第三导电层形成的像素电极，该像素电极设置在像素区贯穿保护膜和栅极绝缘膜的第二孔内，所设置的像素电极和公共电极限定一水平电场。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 水平 电场 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种采用水平电场的薄膜晶体管基板结构，包括：基板；在基板上由第一导电层彼此平行地形成的栅极线和公共线；在基板、栅极线和公共线上形成的栅极绝缘膜；由栅极绝缘膜上的第二导电层形成的数据线，该数据线与栅极线和公共线交叉限定一像素区；连接到该栅极线和数据线的薄膜晶体管；覆盖该数据线和薄膜晶体管的保护膜；由第三导电层形成的连接到公共线的公共电极，该公共电极设置在贯穿保护膜和栅极绝缘膜的第一孔内；以及连接到薄膜晶体管并且由第三导电层形成的像素电极，该像素电极设置在像素区贯穿保护膜和栅极绝缘膜的第二孔内，所设置的像素电极和公共电极限定一水平电场。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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