[发明专利]用于波长转换的半导体光学放大器的制备方法无效
| 申请号： | 200410088915.9 | 申请日： | 2004-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN1773791A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | 张瑞英;王圩;简永生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所;北京交通大学 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/10;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于波长转换的半导体光学放大器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次外延生长缓冲层、下限制层、n－型调制掺杂多量子阱有源区、上限制层以及盖层；步骤2：在盖层上生长二氧化硅层；步骤3：光刻腐蚀出斜角条形结构；步骤4：在斜角条形结构两侧掩埋半绝缘阻挡层4；步骤5：腐蚀掉斜角条形结构顶层的二氧化硅；步骤6：再外延生长盖层和接触层；步骤7：在接触层上生长二氧化硅层；步骤8：光刻腐蚀出二氧化硅窗口；步骤9：在上下两面蒸镀或溅射上电极和下电极；步骤10：解理，在腔面两端蒸镀抗反射膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 波长 转换 半导体 光学 放大器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于波长转换的半导体光学放大器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次外延生长缓冲层、下限制层、n-型调制掺杂多量子阱有源区、上限制层以及盖层；步骤2：在盖层上生长二氧化硅层；步骤3：光刻腐蚀出斜角条形结构；步骤4：在斜角条形结构两侧掩埋半绝缘阻挡层4；步骤5：腐蚀掉斜角条形结构顶层的二氧化硅；步骤6：再外延生长盖层和接触层；步骤7：在接触层上生长二氧化硅层；步骤8：光刻腐蚀出二氧化硅窗口；步骤9：在上下两面蒸镀或溅射上电极和下电极；步骤10：解理，在腔面两端蒸镀抗反射膜。
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