[发明专利]降低掺镱氟化钙晶体中Yb2+浓度的方法无效
申请号: | 200410089023.0 | 申请日: | 2004-12-02 |
公开(公告)号: | CN1635193A | 公开(公告)日: | 2005-07-06 |
发明(设计)人: | 苏良碧;徐军;李红军;董永军;赵志伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | C30B29/12 | 分类号: | C30B29/12;C30B11/00;C30B15/00 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 张泽纯 |
地址: | 201800上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种降低掺镱氟化钙晶体中Yb2+浓度的方法,其特征是在生长掺镱氟化钙晶体时同时引入Yb3+和Na+,具体步骤如下:①选定原料配方:初始原料采用YbF3,NaF,CaF2和PbF2,前三种原料按摩尔比等于x∶y∶1进行配料,其中x等于0.005~0.2,y等于0.0005~0.2,PbF2的加入量为0~0.01mol;②采用熔体法生长Yb,Na∶CaF2单晶体。本发明方法可显著地降低掺镱氟化钙晶体中Yb2+浓度。 | ||
搜索关键词: | 降低 氟化钙 晶体 yb sup 浓度 方法 | ||
【主权项】:
1、一种降低掺镱氟化钙晶体中Yb2+浓度的方法,其特征是在生长掺镱氟化钙晶体时同时引入Yb3+和Na+,具体步骤如下:①选定原料配方:初始原料采用YbF3,NaF,CaF2和PbF2,前三种原料按摩尔比等于x∶y∶1进行配料,其中x等于0.005~0.2,y等于0.0005~0.2,PbF2的加入量为0~0.01mol;②采用熔体法生长Yb,Na∶CaF2单晶体:按选定的配方称取所有原料,充分混合均匀后压制成块,然后装入坩埚内,采用熔体法生长单晶体。
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